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单晶硅清洗超声波清洗法

时间:2017-10-13    点击: 次    来源:网络    作者:佚名 - 小 + 大

    超声波清洗单晶硅片的方法是行业共知的,主要是将被洗研磨的单硅片,铺排水平状放在框架上,然后放到清洗槽底部,框架由支撑脚支撑在清洗槽内,必须保证去离子水的高度盖过单晶硅片,超声波电源也即Ultrasonic Generator输送电源,安装在超声波清洗槽底部的超声波振子将电能转换成机械能进行清洗,超声波频率为40KHz,单晶硅硅片黑色污染物不断被洗出,基本5分钟将研磨的单晶片翻一个面,连续进行超声波清洗,直到干净为止。原则上单晶硅片应平铺,堆积太多的话由于超声波穿透力问题难以达到,最上面的一层难以清洗干净。PP花篮一般用聚四氟材料制成,会吸附和阻挡一部分超声波的传递,会造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象。

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