时间：2017-10-12 点击： 次 来源：网络 作者：佚名 - 小 + 大
| 传统的硅片清洗技术是基于美国无线电公司研发的RCA (Radio Company of America的缩写)清洗技术，这种清洗技术必须消耗大量的强酸、强碱等洗剂，不但成本太高、污染更是大的惊人，目前只在电子级的硅片清洗中还在使用。在RCA清洗技术的原理上，可依据太阳能多晶硅片表面污染物的种类特性，开发一种低成本高效率的多晶硅片除油除尘清洗技术是必须的。采用超声波清洗工艺，雷士超声波科技先计算硅片的清洗数量，先确定40KHZ超声波频率，然后根据数量排布超声波的功率为16KW，清洗槽的加热温度65℃，加热管使用M型加热管还是铝基贴膜加热，这个可以厂方需要来设定。然后计算清洗时间，分配清洗剂浓度配比一般为1：20，对污染硅片清洗后表面接触角的影响,确定了硅片清洗剂的最佳实验室清洗工艺为超声功率80W,温度60℃,清洗时间5min,清洗剂浓度10%。超声波清洗技术清洗污染的硅片后，硅片的表面形貌不变、接触角小和表面粗糙度低，有机物和金属离子残留少，具有较高的洁净度，达到非常好的清洗效果。 |
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