时间：2017-10-12 点击： 次 来源：网络 作者：佚名 - 小 + 大
| 多晶硅硅片制片过程中，氧化、外延、扩散、光刻等工序都要涉及到去除污染物的清洗，其表面污染物的如果不去除，或去除不彻底，会严重影响晶片优质品率，同时影响晶片的可靠性，清洗多次反复清洗，不但要去除硅片表面的有机物，清洗液通常采用碱性或弱碱性洗液，表面颗粒尺寸小于微米甚至达到纳米级，清洗有效率高，晶片无沉淀，达到理想的清洗效果。 多晶硅加工研磨中，比较值得注意的环节是硅磨片的清洗，因为研磨需要去除硅晶圆一定的厚度，随着加工的深入，磨片表面不断掉落的硅粉和沙粒，影响着光洁度，再次如有研磨不均匀则还会在晶圆片毛糙的表面嵌入沙粉，后续的清洗工作就带来了困难。雷士超声波科技人员通过实验，利用碱性清洗剂，在LSAP超声波清洗设备清洗槽中，配合渗透剂、表面活性剂等对硅磨片进行清洗，这种超声波水基型清洗的方法，可以把清洗时间降低到3～5分钟，有效提高了清洗的效率和清洗效果，并且对硅晶圆、研磨晶片表面无损伤。详情可致电0510-82465315 |
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